Ученые из Университета Иллинойса в Урбане-Шампэйн (США) создали полевой транзистор, каналом которого служит нанопроволока из арсенида галлия.

«Разработанная нами планарная технология выращивания обеспечивает получение самоорганизующихся бездефектных нанопроволок, причем их производство можно наладить в промышленных масштабах, — говорит один из участников исследования Сюлин Ли (Xiuling Li). — Это нелитографический метод, позволяющий управлять размерами и ориентацией создаваемых нанопроволок; кроме того, он легко совмещается с существующими технологиями».

Микрофотография нанопроволок из арсенида галлия, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа. 
На врезке — полевой транзистор, каналом которого служит одна из таких проволок.
Изображение получено авторами исследования.

Нанопроволока, использованная авторами в качестве канала, была создана путем химического осаждения из газообразной фазы методом разложения металлоорганических соединений (катализатором послужило золото). Эта технология позволила избавиться от дефектов кристаллической решетки, снижающих подвижность носителей заряда. Необходимо отметить, что канал был сформирован прямо на месте расположения будущего транзистора (ориентация проволок при этом определялась кристаллической структурой подложки); в своих предыдущих работах авторы выращивали нанопроволоки отдельно, а затем переносили их на подготовленные подложки.

Диаметр «пробного» канала составил около 200 нм, однако авторы рассчитывают в будущем довести этот показатель до 5 нм. «Появление полевых транзисторов с каналами такого типа, обеспечивающими высокую подвижность электронов, позволит инженерам конструировать надежные и быстрые миниатюрные электронные устройства», — резюмирует аспирант Сет Фортуна (Seth Fortuna), принимавший участие в исследовании.